Поиск в базе сайта:
Теоретическое изучение сорбции и диффузии атома лития на поверхности Si(001) icon

Теоретическое изучение сорбции и диффузии атома лития на поверхности Si(001)




Скачать 18.53 Kb.
НазваниеТеоретическое изучение сорбции и диффузии атома лития на поверхности Si(001)
Дата конвертации23.05.2015
Вес18.53 Kb.
КатегорияТексты

Теоретическое изучение сорбции и диффузии атома лития на поверхности Si(001)

Елисеева Н.С.

аспирант

Сибирский федеральный университет, химическое отделение, Красноярск, Россия

E-mail: nataxa1.09@mail.ru
Аноды на основе кремния могут быть использованы вместо графитовых в высокоемкостных литий-ионных аккумуляторах. Максимальная концентрация сорбированного лития достигается в сплаве Li22Si5, который имеет высокую теоретическую удельную емкость 4200 мАч г−1. Диффузия лития в объеме кремния достаточно изучена в отличие от протекания данного процесса на поверхности. Однако при переходе от объемных кристаллов кремния к малым наночастицам и пленкам важную роль имеют процессы сорбции и диффузии лития на поверхности.

Целью данной работы являлось изучение механизмов сорбции и диффузии лития на поверхности и в приповерхностных слоях Si (100) с реконструкцией с(4х2).

Исследования осуществлялись с помощью квантово-химического моделирования в программном пакете VASP в рамках метода DFT-D2 с использованием базиса плоских волн и PAW формализма. Для нахождения переходного состояния и потенциальных барьеров при переходе атома лития по поверхности и в приповерхностных слоях Si (100) был применен метод упругой ленты (nudged elastic band).

Согласно полученным результатам наиболее энергетически выгодными положениями атома лития является Т3, когда он находится в канале между димерами кремния (рисунок 1). Стоит отметить, что при продвижении лития в объем (положения UD, UH, UH2, UB2) или выходе из канала на поверхность (положения HB, TD) энергия связи атома лития с кремнием уменьшается. Таким образом, можно сделать вывод, о предпочтительном первоначальном расположении атомов лития в канале между димерами кремния. Для подтверждения данного факта, в работе были смоделированы переходы атома лития по поверхности и в приповерхностных слоях Si (100). Как оказалось, продвижение атома лития с поверхности в приповерхностные слои затруднено, что обусловлено высокими потенциальными барьерами перехода. Следовательно, атому лития выгоднее оставаться в исходном поверхностном сорбционном состоянии. Однако можно предположить, что уменьшение барьеров перехода будет происходить при большей степени заполнения поверхности.



Рис.1. Различные положения атома лития на поверхности и в приповерхностных слоях Si (100) (темным цветом обозначены атомы кремния, светлым – атомы лития) а) вид сверху, b) вид сбоку

Исследование выполнено при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, соглашение 14.B37.21.0163 и гранта РФФИ № 12-02-00640.

Похожие:




©fs.nashaucheba.ru НашаУчеба.РУ
При копировании материала укажите ссылку.
свазаться с администрацией