Поиск в базе сайта:
Предметом изучения являются твердые кристаллические материалы, применяемые в электронике и их основные физико-химические свойства icon

Предметом изучения являются твердые кристаллические материалы, применяемые в электронике и их основные физико-химические свойства




Скачать 240.75 Kb.
НазваниеПредметом изучения являются твердые кристаллические материалы, применяемые в электронике и их основные физико-химические свойства
Дата конвертации31.10.2014
Вес240.75 Kb.
КатегорияТексты


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Ивановский государственный химико-технологический университет»

Факультет неорганической химии и технологии

Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники

Утверждаю: проректор по УР

_______________ В.В. Рыбкин

« » 20 г.

Рабочая учебная программа дисциплины

Физическая химия материалов и процессов электронной техники


Направление подготовки ^ 210100 Электроника и наноэлектроника
Профиль подготовки Твердотельная электроника и микроэлектроника
Квалификация (степень) Бакалавр
Форма обучения очная

Иваново, 2010

1. Цели освоения дисциплины

Предметом изучения являются твердые кристаллические материалы, применяемые в электронике и их основные физико-химические свойства. В системе подготовки бакалавра по направлению "Электроника и наноэлектроника" данная дисциплина является одной из фундаментальных, поскольку на свойствах кристаллических тел базируется технология изготовления твердотельных электронных приборов и микросхем. Дисциплина завершает цикл по изучению физических и химических свойств твердых тел, начатый курсами "Физика конденсированного состояния", "Материалы электронной техники". Целями освоения дисциплины являются изучение физико-химических основ получения материалов путем кристаллизации в различных условиях, методов описания и анализа фазовых равновесий, твердых растворов, процессов дефектообразования, диффузионных процессов и их влияния на полупроводниковые свойства.

^ 2. Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата

Дисциплина относится к циклу профессиональных дисциплин профиля, базируется на результатах изучения дисциплин естественно-научного цикла, в том числе математики, физики, химических дисциплин, а так же профессиональных дисциплин профиля: «Физика конденсированного состояния », «Материалы электронной техники». Для успешного усвоения дисциплины студент должен

знать:

- основные понятия и методы физики конденсированного состояния- зонную теорию, типы дефектов и их влияние на проводимость

- электронное строение атомов и молекул, основы теории химической связи в соединениях разных типов, основные закономерности протекания химических процессов и характеристики равновесного состояния, химические свойства элементов различных групп Периодической системы и их важнейших соединений;

уметь:

- проводить анализ функций, решать уравнения и системы дифференциальных и алгебраических уравнений применительно к реальным процессам, применять методы математической физики при решении типовых профессиональных задач;

- использовать основные химические законы, термодинамические справочные данные и количественные соотношения неорганической и физической химии для решения профессиональных задач;

владеть:

- методами построения математических моделей типовых профессиональных задач и
содержательной интерпретации полученных результатов;

- методами классической и статистической химической термодинамики для описания различных равновесий
Освоение данной дисциплины как предшествующей необходимо при изучении следующих дисциплин:

- Основы технологии электронной компонентной базы

- Технология и оборудование производства
изделий твердотельной электроники и наноэлектроники

- Технология материалов твердотельной электроники

^ 3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины

способностью стремиться к саморазвитию, повышению своей квалификации и мастерства (ОК-6);

способностью использовать основные законы естественнонаучных дисциплин в профессиональной деятельности, применять методы математического анализа и моделирования, теоретического и экспериментального исследования (ОК-10);

способностью выявлять естественно-научную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлекать для их решения соответствующий физико-математический аппарат (ПК-2);

готовностью учитывать современные тенденции развития электроники, измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности (ПК-3);

- способностью использовать знание свойств химических элементов, соединений и материалов на их основе для решения задач профессиональной деятельности (ПК-33);

cпособностью использовать знания основных физических теорий для решения возникающих физических задач, самостоятельного приобретения физических знаний, для понимания принципов работы приборов и устройств, в том числе выходящих за пределы компетентности конкретного направления (ПК-34);

^ В результате освоения дисциплины обучающийся должен:

знать: основные типы диаграмм состояния одно-двухкомпонентных систем, принципы построения диаграмм состояния 3-х компонентных систем и Р-Т-Х диаграмм; способы управления дефектообразованием в химических соединениях; механизмы диффузионных процессов и способы их описания

уметь: использовать методы расчетов и анализа фазовых диаграмм; выбирать условия кристаллизации; описывать равновесия дефектов с учетом их зарядового состояния, давления и температуры; проводить расчеты диффузионных процессов; использовать справочную литературу

владеть: термодинамическими методами анализа твердофазных систем; способами расчетов состава дефектов и их зарядового состояния в кристаллических химических соединениях; типовыми методами расчетов диффузионных процессов
^ 4. Структура дисциплины Физическая химия материалов и процессов электронной техники

Общая трудоемкость дисциплины составляет 6 зачетных единиц, 216 часов.

Вид учебной работы

Всего часов

Семестры

4

5

6

7

^ Аудиторные занятия (всего)

85




85







В том числе:
















Лекции

34




34







Лабораторные занятия

30




30







Практические занятия

21




21







^ Самостоятельная работа (всего)

131




131







В том числе:
















Расчетно-графические работы

35




35







Оформление отчетов по лабораторным работам

48




48







подготовка к текущим занятиям, коллоквиумам

30




30







Подготовка к экзамену

18




18







Вид промежуточной аттестации (зачет, экзамен)

18 з,э




18







Общая трудоемкость час

зач. ед.

216




216







6




6







^ 5. Содержание дисциплины

5.1. Содержание разделов дисциплины

5.1.1. Модуль 1. Термодинамика фазовых равновесий.

Термодинамическая характеристика фазы и фазовых равновесий: термодинамические потенциалы и характеристические функции; уравнение состояния систем; критерии направления процесса и условия равновесия в системах; фазовые переходы первого и второго рода; диаграммы состояния полупроводниковых систем и методы их получения; Р-Т-Х диаграммы; термодинамика растворов: классификация, теория активности и теория избыточных функций, прогнозирование типа диаграмм состояния с помощью изотерм концентрационной зависимости свободной энергии Гиббса.
5.1.2. Модуль 2. Дефектообразование.

Общая классификация дефектов. Точечные дефекты. Дефекты по Шоттки и Френкелю, равновесие дефектов, дефекты нестeхиометрии. Влияние дефектов на зонную структуру. Физико-химическое управление типом и концентрацией дефектов нестехиометрии в полупроводниках; квазихимический метод расчета концентрации дефектов и носителей заряда.

5.1.3. Модуль 3. Диффузионные процессы.

Химическая и диффузионная кинетика; энергетика кристаллической решетки атомных и ионных кристаллов. Кинетическое рассмотрение процесса. Механизмы диффузии. Коэффициент диффузии и факторы его определяющие. Гетеродиффузия, эффект Киркендаля-Френкеля. Элементы диффузионной кинетики.

^ 5.2 Разделы дисциплины и междисциплинарные связи с обеспечиваемыми (последующими) дисциплинами

, п.п


Наименование обеспечиваемых

(последующих) дисциплин

1

2

3

1

Процессы микро и нанотехнологий





+

+

2

Технология тонких пленок и покрытий




+

+

3

Технология материалов твердотельной электроники

+

+

+

4

Наноэлектроника

+

+

+

5

Технология и оборудование производства изделий твердотельной электроники и наноэлектроники

+

+

+


^ 5.3. Разделы дисциплин и виды занятий

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Лекц.

Практ.

зан.

Лаб.

зан.

Семин

СРС

Все-го

час.

1.

Термодинамика фазовых равновесий.

16

13

12




63

18

2.

Дефектообразование.

10

4

12




40

22

3.

Диффузионные процессы.

8

4

6




28

34

  1. Практические занятия (семинары)

Модуль 1. Тематика практических занятий.

  1. Фазовое равновесие в однокомпонентных системах. Уравнение Клаузиуса – Клайперона (4 ч.).

  2. Фазовое равновесие в двухкомпонентных системах. Т-Х диаграммы (8 ч.).

  3. Р-Т-Х диаграммы двухкомпонентных систем (3 ч.).

Модуль 2. Тематика практических занятий.

  1. Дефекты нестехиометрии. Зависимость концентрации дефектов от давления пара собственных компонентов и температуры (3 ч.).

Модуль 3. Тематика практических занятий.

1. Решение диффузионно-кинетических задач (3 ч.).
^ 7. Лабораторный практикум

  1. Исследование температурной зависимости электропроводности ионных кристаллов. (6 ч)

  2. Синтез и исследование люминофоров. (6 ч)

  3. Определение поверхностной энергии полупроводников и диэлектриков (6ч.).

  4. Исследование влияния адсорбции кислорода на проводимость нестехиометрических пленок ZnO (6 ч.)

  5. Исследование фотопроводимости полупроводников (6 ч)


^ 8. Примерная тематика курсовых проектов (работ)

Курсовые проекты или работы данной дисциплине не планируются

9. Образовательные технологии.

Чтение лекций по данной дисциплине проводится с использованием мультимедийных презентаций в части представления сложного графического материала –диаграммы плавкости, Р-Т-Х диаграммы. и т.д.. При рассмотрении новой темы, формулировке положений, на которых она строится, проводится краткая дискуссия (~5 мин.) с обсуждением справедливости этих положений и их ограничений. Лекция завершается обсуждением вопросов, возникших в ее ходе (~3 мин.)

^ Проведение практических заняти строятся следующим образом.

1. Вводная преподавателя (цели занятия, основные вопросы, которые должны быть рассмотрены).

  1. Беглый опрос основных теоретических положений. Объяснение хода решения задач, заданных на дом.

  2. Решение 1-2 типовых задач у доски с анализом ошибок.

  3. Самостоятельное решение задач.

  4. Разбор типовых ошибок при решении (в конце текущего занятия или в начале следующего).

При проведении лабораторного практикума создаются условия для максимально самостоятельного выполнения лабораторных работ. Для этого каждому студенту выдается индивидуальное задание и перед каждой лабораторной работой студент проходит краткое собеседование, в результате которого преподаватель оценивает степень готовности к выполнению лабораторной работы. Студент должен знать:

цель работы;

последовательность ее выполнения;

принцип работы оборудования;

методику обработки экспериментальных результатов.

В ходе подготовки к лабораторному занятию студент готовит лабораторный журнал (отдельная тетрадь), в которую заносит:

- название работы;

- задание на выполнение работы;

- план работы;

- схему экспериментальной установки;

- заготовку таблицы для экспериментальных данных.

По окончании работы лабораторный журнал подписывается преподавателем.

По итогам каждой лабораторной работы оформляется отчет, ко­торый сдается преподавателю на следующем после выполнения данной работы занятии.

Отчет включает:

- цель работы;

- краткое теоретическое введение;

- схему установки и ее краткое описание;

- экспериментальные результаты и их обсуждение, в том числе анализ погрешности эксперимента, примеры расчетов;

- выводы по работе.

При сдаче отчета преподаватель проводит собеседование по выполненной работе, в результате которого оценивается знание теоретического материала по теме исследования и умение оценивать и делать выводы на основе полученных экспериментальных результатов. По итогам каждой лабораторной работы выставля­ется оценка, учитывающую предварительную подготовку, объем и ка­чество экспериментальной части работы, глубину обсуждения ре­зультатов, качество отчета и результаты собеседования.

^ При организации внеаудиторной самостоятельной работы по данной дисциплине используются следующие ее формы:

  • подготовка и написание рефератов, докладов.

  • выполнение домашних заданий расчетного характера.

10. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной
аттестации по итогам освоения дисциплины и учебно-методическое обеспечение
самостоятельной работы студентов


Всего по текущей работе студент может набрать 50 баллов, в том числе:

- лабораторные работы - 35 баллов (за каждую лабораторную работу можно получит максимум 7 баллов, из них 1 балл – результат собеседования перед выполнением работы, 1 балл – качество отчета; 5 баллов результаты собеседования по теоретическому материалу по теме исследования и результатам работы).

- практические занятия и контрольные работы – 15 баллов;

Зачет проставляется автоматически, если студент набрал по текущей работе не менее 26 баллов. Минимальное количество баллов по каждому из видов текущей работы составляет половину от максимального.

^ Для самостоятельной работы используются задания и задачи, приведенные в перечисленных ниже учебных пособиях:

Рыбкин В.В., Шикова Т.Г., Титов В.А. Физическая химия материалов и процессов электронной техники: учеб. пособие. – ИГХТУ – Иваново, 2010. – 149 с.

^ Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего, промежуточного и итогового контроля

Контроль знаний студентов на всех этапах осуществляется путем компьютерного тестирования. Выдаваемый каждому студенту индивидуальный тест включает 10 заданий по каждому модулю. Время проведения тестирования рассчитывается исходя из двух минут на одно задание. Примеры контрольных тестов по каждому модулю приведен ниже.
Варианты тестовых заданий для контроля учебных достижений студентов

Тестовые задания

1. Гетерогенная система должна состоять минимум из

А) трех фаз Б) двух фаз (*) В) четырех фаз

2. Для системы СаСО3(Т), СаО(Т), СО2(Г), где имеет место реакция СаСО3(Т)↔ СаО(Т)+ СО2(Г) количество независимых компонентов равно

А) два (*) Б) три В) один

3. Гетерогенная система при постоянной температуре и давлении находится в равновесии, если

А) химические потенциалы ее компонентов во всех фазах разные Б) энтальпия системы постоянна В) химические потенциалы ее компонентов во всех фазах одинаковы (*)

4.Для трехкомпонентной системы, содержащей две фазы в равновесии число степеней свободы равно

А) две Б) три (*) В) одна

5. Вариантность системы это

А) число переменных, изменение которых не приводит к изменению количества и природы фаз

Б) минимальное число переменных, изменение которых не приводит к изменению количества и природы фаз (*)

6. При фазовом переходе 1-го рода скачкообразно изменяется

А) энтропия и объем сосуществующих фаз (*) Б) теплоемкость производная энергии Гиббса по температуре (*)

7. При фазовом переходе 2-го рода скачкообразно не меняются скачкообразно

А) теплоемкость Б) энтропия и объем сосуществующих фаз (*)

8. Процесс плавления относится к фазовым переходам

А) 1-го рода (*) Б) 2-го рода

9) Фазовый переход ферромагнетика в парамагнетик относится к фазовым переходам

А) 1-го рода Б) 2-го рода (*)

10. Известно, что при плавлении вещества мольный объем жидкости больше мольного объема твердой фазы. Для этого вещества с ростом давления температура плавления будет

А) увеличиваться (*) Б) уменьшаться В) не меняться

11. Для однокомпонентной системы число фаз в равновесии не может быть больше

А) трех (*) Б) двух В) одной

12. При постоянном давлении число фаз в равновесии для бинарной системы не может быть больше

А) трех (*) Б) двух В) одной

13. Число степеней свободы в точке эвтектики для бинарной системы при постоянном давлении равно

А) три Б) два В) нуль

14. Явление ликвации связано с различиями в

А) плотности жидкой и твердой фаз (*) Б) электропроводности жидкой и твердой фаз В) магнитной проницаемости жидкой и твердой фаз

15. Различие точек эвтектики и перитектики заключается в том, что

А) число степеней свобода равно нулю Б) кристаллизуются два твердых компонента В) в точке перитектики один из твердых компонентов расходуется на образование другого (*)

16. Парциальная величина характеризует

А) компонент фазы (*) Б) свойства фазы как целого

17. При постоянном давлении и температуре и концентрациях других компонентов химический потенциал компонента есть

А) производная от изобарно-изотермического потенциала по концентрации компонента(*)

Б) производная от изохорно-изотермического потенциала по концентрации компонента

В) производная от энтропии по температуре

18. Стандартное состояние

А) всегда физически существует Б) может физически не существовать (*)

19. В уравнения Гиббса-Дюгема входят

А) только интегральные величины Б) только парциальные величины В) интегральные и парциальные величины (*)

20. В уравнения Гиббса-Дюгема для фазы, содержащей N компонентов входят всего

А) 2N+2 переменных (*) Б) N переменных В) 2N+1 переменная

21. При записи уравнений квазихимических равновесий химическими компонентами считаются

А) все структурные элементы и дефекты решетки(*) Б) только электроны и дырки В) только дефекты Шоттки и Френкеля

22. Принцип постоянства отношения количества разносортных узлов не принимает во внимание

А) структуру поверхности кристалла (*) Б) структуру объема кристалла

23. Вакансии кристалла А+В- , образованные в катионной подрешетке , будут являться

А) донорами Б) акцепторами (*) В) и донорами и акцепторами

24. Вакансии кристалла А+В- , образованные в анионной подрешетке , будут являться

А) донорами (*) Б) акцепторами В) и донорами и акцепторами

25. При прокалке кристалла А+В- в парах компонента А кристалл будет приобретать проводимость

А)n-типа (*) Б) р-типа В) не будет менять свою проводимость

27. Поток вещества, пропорциональный градиенту температуры называется

А) бародиффузионным Б) термодиффузионным (*) В) электрическим током

28. Для кубической примитивной решетки коэффициент диффузии одинаков для направлений

А) [100], [001],[010] (*) Б) [100], [001],[111] В) [100], [001],[011]

29. Какой из механизмов диффузии наиболее вероятен для примитивной плотноупакованной решетки

А) вакансионный (*) Б) по междуузлиям В) по междуузлиям путем вытеснения

30. Для описания кинетики чисто диффузионных процессов надо пользоваться уравнением

А) первого закона Фика Б) второго закона Фика (*) В) уравнением непрерывности плотности потока

31. В ионном кристалле АВ концентрация электронов зависит от давления компонента А как РА1/2 . Это значит, что при ионизации вакансии образуется

А) две заряженных частицы (*) В) три заряженных частицы В) одна заряженная частица

32. Для химического соединения АВ растворимость компонента А в твердой фазе выше, чем В. В этом случае положение дистектической точки будет

А) соответствовать стехиометрии АВ Б) смещена от стехиометрического состава в сторону большего содержания компонента А (*) В) смещена от стехиометрического состава в сторону большего содержания компонента В

33. На пластину, толщиной 400 мкм, с одной стороны нанесли тонкий слой примеси. Достигнет ли примесь обратной стороны пластины за 1 час, если коэффициент диффузии примеси равен10-8 см2

А) да Б) нет (*)

^ ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ

  1. Фазовые равновесия. Основные термины. Правило фаз.

  2. Уравнение Клапейрона-Клаузиуса. Фазовые переходы 1-го и 2-го рода.

  3. Фазовые равновесия в однокомпонентных системах.

  4. Моно и энантиотропные фазовые превращения.

  5. Методы физико-химического анализа фазовых равновесий.

  6. Диаграммы состояния 2-х компонентных систем с эвтектикой. Ход кристаллизации.

  7. Диаграммы состояния 2-х компонентных систем с неограниченной растворимостью. Ход кристаллизации.

  8. Твердые растворы с ограниченной растворимостью и эвтектикой. Ход кристаллизации.

  9. Твердые растворы с ограниченной растворимостью и перитектикой. Ход кристаллизации.

  10. Системы, образующие одно соединение, плавящееся без разложения. Ход кристаллизации.

  11. Конгруэнтное плавление с образованием твердых растворов. Ход кристаллизации.

  12. Инконгруэнтное плавление соединений. Ход кристаллизации.

  13. Влияние давления на фазовые равновесия. Р-Т-Х диаграммы.

  14. Термодинамические функции, используемые для анализа фазовых равновесий.

  15. Уравнения состояния гетерогенной системы. Термодинамический подход к расчету диаграмм состояния.

  16. Дефекты нестехиометрии. Их влияние на зонную структуру.

  17. Дефекты нестехиометрии на Т-Х диаграммах. Дальтониды и бертоллиды.

  18. Влияние дефектов нестехиометрии на положение дистектической точки.

  19. Квазихимический метод описания равновесия дефектов.

  20. Равновесная концентрация дефектов нестехиометрии. Зависимость концентрации дефектов от давления собственного пара на конкретном примере.

  21. Дефекты идеальной поверхности.

  22. Сильные и слабые формы хемосорбции.

  23. Равновесие различных форм хемосорбции. Равновесная концентрация.

  24. Заряжение поверхности при хемосорбции и ее влияние на поверхностный изгиб зон.

  25. Термодинамика диффузии. Виды диффузии.

  26. Механизмы диффузии.

  27. Коэффициент диффузии и факторы его определяющие.

  28. Диффузия из бесконечно тонкого слоя.

  29. Диффузия из источника неограниченной мощности.

  30. Применение метода Фурье для решения диффузионных задач.


^ 11. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины:

Основная литература



Описание

Число экземпляров

Число студентов

ККО

1

Рыбкин В.В., Шикова Т.Г., Титов В.А. Физическая химия материалов и процессов электронной техники: учеб. пособие. – ИГХТУ – Иваново, 2010. – 149 с.

50

20



2

Антипов, Б. Л. Материалы электронной техники:Задачи и вопросы  .— СПб.: Лань, 2001  .— 208 с.

39





3

Титов,, В. А., Рыбкин, В. В., Соколов, В. Ф. Электронное материаловедение  .— Иваново, 2003  .— 107 с.

77





4

С.И., Синельников, Б.М., Рембеза, Е.С., Каргин, Н.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники  .— Ставрополь: [Северо-кавказ. гос. техн. ун-т], 2002  .— 429 с.

30





5

Синельников Физическая химия кристаллов с дефектами  .— М.: Высш. шк., 2005  .— 136 с.

40





^ Дополнительная литература



Описание

Число экземпляров

Число студентов

ККО

1

Ормонт, Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников  .— М.: Высш.шк., 1982  .— 528с. (6)

6

20



2

Ковтуненко, П. В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами  .— М.: Высш. шк., 1993  .— 352 с. (39)

39





3













в) программное обеспечение

  • СИСТЕМНЫЕ ПРОГРАММНЫЕ СРЕДСТВА: Microsoft Windows XP, Microsoft Vista

  • ПРИКЛАДНЫЕ ПРОГРАММНЫЕ СРЕДСТВА: Microsoft Office 2007 Pro, FireFox

  • СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ: СДО Moodle, SunRAV BookOffice Pro, SunRAV TestOfficePro.

Электронные учебные ресурсы:

- тренировочные и контрольные тесты по каждому модулю;

- текст лекций с контрольными вопросами для самопроверки;

- Автономный гипертекстовый электронный учебник http://plasma.isuct.ru;

- сетевой электронный учебник в СДО ИГХТУ Moodle http://edu.isuct.ru.

^ 12. Материально-техническое обеспечение дисциплины (модуля)

Лекции по дисциплине проводятся в аудитории, оснащенной видеопроектором. Тестирования проводятся в дисплейном классе кафедры (10 ПЭВМ типа Pentium).

Лабораторно-практические занятия проводятся в специализированной лаборатории, имеющей пять лабораторных установок

  1. Установка для исследования температурной зависимости электропроводности кристаллов, включающая печь с высокоточным регулятором температуры типа ВРТ и комплект блоков питания и приборов для измерения напряжения и тока.

  2. Установка синтеза люминофоров, включающая комплект химического обородувания, печь синтеза и спектрофотометр СФ-58 для определения оптических характеристик полученного материала.

  3. Установка для определения поверхностной энергии полупроводников и диэлектриков методом измерения краевого угла смачивания, включающая микроскоп, видеокамеру с выходом на ЭВМ.

  4. Установка для исследования влияния адсорбции кислорода на проводимость нестехиометрических пленок ZnO, включающая высоковакуумных пост, откачивающий печь, и комплект электро-измерительной аппаратуры.

  5. Установка для исследования фотопроводимости полупроводников, включающая стандартный источник света, решеточный монохроматор МУМ-1 с фотоэлектрической регистрацией, и комплект электро-измерительной аппаратуры.

В лаборатории установлены два компьютера для оперативной обработки полученных результатов.
Программа составлена в соответствии с требованиями ФГОС ВПО с учетом рекомендаций и ПрООП ВПО по направлению и профилю подготовки .

Автор (Рыбкин В.В.)

Заведующий кафедрой (Светцов В.И.)

Рецензент (ы)

(подпись, ФИО)
Программа одобрена на заседании научно-методического совета факультета неорганической химии и технологии ИГХТУ от «_____» ________ 201__ года, протокол № ____.

Председатель НМС _______________ (ФИО)


Похожие:




©fs.nashaucheba.ru НашаУчеба.РУ
При копировании материала укажите ссылку.
свазаться с администрацией